月亮的太陽

超頻過程中，為什么調(diào)校內(nèi)存所花時(shí)間最長呢？原因就是內(nèi)存參數(shù)優(yōu)化。參數(shù)優(yōu)化的歷史可以追溯到SDRAM時(shí)代。在那個(gè)年代，大家追求的只有CL值，CL＝2就是當(dāng)時(shí)的參數(shù)優(yōu)化目標(biāo)。到了DDR年代，對于參數(shù)的描述變成了4個(gè)值，例如：2-2-2-5。但這4個(gè)數(shù)字所代表的含義到底是什么？簡單來說就是CL-tRCD-tRP-tRAS，這個(gè)縮寫的全程和中文名稱如下：

1、CL（CAS Latency）

　　中文名稱為“內(nèi)存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時(shí)間”，在BIOS中的選項(xiàng)可能為：2、2.5和3。隨著DFI NF4主板的出現(xiàn)，還增加了1.5這個(gè)極限選項(xiàng)。這個(gè)參數(shù)很重要，內(nèi)存條銘牌上一般都有推薦參數(shù)。較低的CAS周期能減少內(nèi)存的潛伏周期以提高內(nèi)存的工作效率。因此只要能夠穩(wěn)定運(yùn)行操作系統(tǒng)，我們應(yīng)當(dāng)盡量把CAS參數(shù)調(diào)低。反過來，如果內(nèi)存運(yùn)行不穩(wěn)定，可以將此參數(shù)設(shè)大，以提高穩(wěn)定性。

2、tRCD（RAS-to-CAS Delay）

　　中文為“行尋址至列尋址延遲時(shí)間”，一般選項(xiàng)有2、3、4、5，別名有Active to CMD等。對于延遲時(shí)間，當(dāng)然是數(shù)值越小，性能越好。
　　
3、tRP（RAS Precharge Time）

　　“內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間”一般只有2、3、4三個(gè)選項(xiàng)。這個(gè)參數(shù)的名稱也比較多，一般有RAS Precharge、Precharge to active幾種。tRP值越低，預(yù)充電參數(shù)越小，則內(nèi)存讀寫速度就越快。

4、tRAS（RAS Active Time）

“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”nForce系列主板對它的調(diào)節(jié)幅度最大，從1到15都可選擇。別名也是最多的： Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等等。調(diào)整這個(gè)參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定，推薦參數(shù)選項(xiàng)有5，6或者7這3個(gè)。大多數(shù)情況還要結(jié)合主板和CPU情況，并不是說越大或越小就越好。

　　進(jìn)入了64位時(shí)代，內(nèi)存參數(shù)調(diào)節(jié)又多了一個(gè)選項(xiàng)――Command Rate。
這個(gè)選項(xiàng)就是K8平臺超頻時(shí)所稱的“1T、2T”，全名“首命令延遲”，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。

    由于DDR內(nèi)存在尋址時(shí)，先要進(jìn)行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進(jìn)行），然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個(gè)參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時(shí)間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時(shí)鐘周期。

    顯然，也是越短越好。但當(dāng)隨著主板上內(nèi)存模組的增多，控制芯片組的負(fù)載也隨之增加，過短的命令間隔可能會(huì)影響穩(wěn)定性。因此當(dāng)你的內(nèi)存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時(shí)間，才需要將此參數(shù)調(diào)長。目前的大部分K8主板默認(rèn)參數(shù)都比較保守，采用2T。